制造技术_封装技术_半导体制造-电子发烧友网

发布日期： 2024-03-08 | 作者：开云kaiyun登录网页版

电子发烧友网报道（文/莫婷婷）近日，日本半导体设备协会（SEAJ）预计今年（2022年4月至2023年3月）日本半导体设备销售额将超过4万亿日元（约合人民币1964亿元），年增长率达到17%。这里半导...

博世宣布投入30亿欧元用于半导体业务扩张计划近日，汽车电子巨头博世宣布将在2026年前再投入30亿欧元用于其半导体业务扩张。这一预算中将有1.7亿欧元用于该公司在罗伊特林根和德累斯顿...

许多MEMS器件需要保护，以免受到外部环境的影响，或者只能在受控气氛或真空下运行。当今MEMS器件与CMOS芯片的高度集成，还需要专门用于MEMS器件的先进晶圆级封装解决方案。...

（电子发烧友原创文/章鹰）7月14日，全球晶圆代工龙头台积电发布最新二季度财报，公司营收为181.6亿美元，同比增长36.6%；纯利润是85.04亿美元，同比增张76.4%。台积电总裁魏家哲表示，他们...

硅(Si)的深度蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下，通过长时间的金属辅助化学蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾蚀刻，证明了通过蚀刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再现性。在M...

我正在研究我的新 DIY NAS 项目，我需要一个由 SMT 部件制成的定制 SATA 到 USB 适配器。然而，就在我开始设计之前，我注意到我没有可用于进行回流的工具。因为我只是一个贫穷的大学生，买不...

硅集成电路(IC)的制造需要500-600个工艺步骤，这取决于器件的具体类型。在将完整的晶片切割成单个芯片之前，大多数步骤都是作为单元工艺来执行的。大约30%的步骤是清洁操作，这表明了清洁...

引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻...

从PCB上述各因素的分析是解决印制板温升的有效途径，小编认为，往往在一个产品和系统中这一些因素是互相关联和依赖的，大多数因素应根据真实的情况来分析，只有针对某一具体实际情况才能比...

第一步，分析视图，分析Datasheet中所提供的图示，一般会提供几个视图，首先要分析出哪个是“TOP”视图，哪个是“BOTTOM”视图，以免做封装时镜像，如图4-8所示，...

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法非物理性腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能会影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的...

半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展趋势半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Wafer level package）...

IC的散热主要有两个方向，一个是由封装上表面传到空气中，另外一个则是由IC向下传到PCB板上，再由板传到空气中。...

目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。1，2干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁的典型均方根...

包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象非常深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度，对高功率电子器件也很有...

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的...

全球疫情持续影响，对整个制造业发展都造成了震荡，连接器行业同样也是深受波及。但即便在去年整个连接器行业面临原材料紧缺、涨价、成本高企等坏因影响的背景下，工业连接器品牌...

本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法非物理性腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能会影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影...

硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用在所有湿法清洗工艺步骤。表2.1显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序:...

电化学气体传感器常被用于挥发性有机物（VOC）检测，但是单个电化学气体传感器无法对具有复杂成分的VOC做准确分析，而通过将分子印迹聚合物（MIP）敏感层与传感器阵列相结合，可以...

2022年上半年 NVIDIA DOCA 1.3版本发布，对于开发者们更好地使用DPU，尤其是新一代的英伟达BlueField DPU进行简单灵活的软件开发，有着更好的帮助。7月5日，英伟达的有关技术专家和首届NVIDIA DPU中国...

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近年来，半导体技术发展迅速，集成电路产业规模逐步扩大。5G 时代的到来，对射频器件所用半导体材料提出了新要求。氮化镓（GaN）由于其带宽度和高饱和电子迁移率成为该领域的新兴材...

也称CPAC(globe top pad array carrier)。球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法...

先进封装(advanced packaging)的后端工艺(back-end)之一，将晶圆或组件进行划片或开槽，以利后续制程或功能性测试。...

HOT 允许独立优化顶部和底部器件的晶体取向和应变工程，而不会增加工艺流程成本。例如，在 n-on-p 配置中，可以在顶部使用具有 100 取向的硅片，从而为顶部 nMOS 器件提供最高的电子迁...

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